Consider the following statements A and B and identify the correct choice of the given answers.

A. The width of the depletion layer in a P-N junction diode increases in forward bias.

B. In an intrinsic semiconductor the fermi energy level is exactly in the middle of the forbidden gap.

• A

  A is true and B is false

• B

  Both A and B are false

• C

  A is false and B is true

• D

  Both A and B are true